Ontech880四級(jí)液氮制冷預(yù)濃縮儀

符合標(biāo)準(zhǔn)：

1、《HJ759-2023環(huán)境空氣 65 種揮發(fā)性有機(jī)物的測(cè)定罐采樣/氣相色譜-質(zhì)譜法》

2、《HJ1078-2019固定污染源廢氣 甲硫醇等8種含硫有機(jī)化合物的測(cè)定氣袋采樣-預(yù)濃縮/氣相色譜-質(zhì)譜法》

3、《2019年地級(jí)及以上城市環(huán)境空氣揮發(fā)性有機(jī)物監(jiān)測(cè)方案》

解決問(wèn)題：

傳統(tǒng)三級(jí)冷阱預(yù)濃縮采用低溫物理除水技術(shù)，在除水的同時(shí)，不可避免的將高沸點(diǎn)化合物與水一同冷凝于除水阱中，而為達(dá)到較好的除水效果，除水阱無(wú)法在不排出水的情況下將高沸點(diǎn)化合特回收，因此除水效果與高沸點(diǎn)化合物的回收就成為了三級(jí)冷阱技術(shù)的矛盾點(diǎn)。

Ontech880四級(jí)液氮制冷預(yù)濃縮儀軟件特點(diǎn)：

1、工作流程化繁為簡(jiǎn)，工作效率提升；

2、新一代控制軟件，操作簡(jiǎn)單，功能強(qiáng)大，特別對(duì)于缺少預(yù)濃縮使用經(jīng)驗(yàn)的用戶(hù)，易于使用；

3、高精度MFC電子計(jì)量，技術(shù)成熟可靠，算法設(shè)計(jì)，可避免普通MFC啟動(dòng)時(shí)存在的流量不準(zhǔn)難題，無(wú)需真空罐，使用便捷、靈活；

4、方法編輯功能強(qiáng)大靈活，運(yùn)行時(shí)間流程全程自定義，可針對(duì)不同樣品和分析需求；

5、數(shù)據(jù)記錄、導(dǎo)出功能完善，支持各項(xiàng)備注；

6、可搭配任何款式的GC或GC-MS。

硬件特點(diǎn)：

1、四級(jí)冷阱的分離式捕集技術(shù)可將除水與VOCs回收分離，盡可能避免了高沸點(diǎn)化合物在除水阱中的吸附損失，真正做到高沸點(diǎn)無(wú)損進(jìn)樣。得益于該技術(shù)特點(diǎn)，同比傳統(tǒng)三級(jí)冷阱，其高沸點(diǎn)化合物響應(yīng)提升170%（萘）；

2、打破常規(guī)，除水阱深冷除水后無(wú)須二次加熱，帶來(lái)了良好的除水、除雜效率，同比傳統(tǒng)三級(jí)冷阱，除水、除雜能力提升46%；

3、工作流程化繁為簡(jiǎn)，節(jié)省樣品分析周期，分析效率提升20%，不到10分鐘即可完成標(biāo)準(zhǔn)400ml TO15化合物洗脫。同時(shí)還能有效節(jié)省制冷劑，相同的液氮，更多的樣品分析量；

4、設(shè)置獨(dú)立聚焦冷阱，確保了化合物的聚焦效果，支持高壓進(jìn)樣技術(shù)，使得峰形更為尖銳，支持分流、不分流、定量環(huán)等多種進(jìn)樣方式，應(yīng)對(duì)各種高低濃度樣品，可適應(yīng)的濃度范圍橫跨ppt至ppm級(jí)，真正做到一機(jī)通用；

5、高速氣化，升溫速率達(dá)到2000°C/分鐘，搭配發(fā)明解析技術(shù)，使得化合物分離的同時(shí)峰型變窄變高。

6、集成內(nèi)置進(jìn)樣器具有13個(gè)進(jìn)樣口（可不選配內(nèi)置進(jìn)樣器，為3個(gè)進(jìn)樣口）；還可搭配外置自動(dòng)進(jìn)樣器使用，增加至28個(gè)氣路，可接蘇瑪罐或氣袋實(shí)現(xiàn)批量樣品的自動(dòng)進(jìn)樣功能；

7、可靠的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：樣品管路全惰性化處理，從樣品接頭到內(nèi)部電磁閥閥體全程高溫加熱，真正做到樣品全程伴熱，無(wú)冷點(diǎn)無(wú)吸附。

技術(shù)參數(shù)：

靈敏度和濃縮范圍

◎ 濃縮比率：＞1000:1；

◎ 檢測(cè)下限：0.1ppbv；

◎ 重現(xiàn)性RSD：≤3%（90%以上的化合物）。

進(jìn)樣口

◎ 獨(dú)立的內(nèi)標(biāo)和標(biāo)氣進(jìn)樣口，配置13個(gè)附加進(jìn)樣口；

◎ 可選配自動(dòng)進(jìn)樣器（16個(gè)進(jìn)樣口）。

樣品處理能力

◎ 所有管線均為硅烷化不銹鋼材質(zhì)；

◎ 進(jìn)樣范圍：4-2000ml（0-100%相對(duì)濕度），4ml以下支持定量環(huán)進(jìn)樣；

◎ MFC流量范圍：5-200ml/min，度±2%（標(biāo)準(zhǔn)配置）；

◎ 溫控度±2℃，升溫速率360℃/min（聚焦阱大于2000℃/min）。